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?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
February 2005
MMSD914 Rev. C
MMSD914 Small Signal Diode
MMSD914
Small Signal Diode
Absolute Maximum Ratings *
Ta
= 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Unit
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Value Unit
PD
Power Dissipation 400 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 312
°C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Units
VR
Breakdown Voltage IR
= 5.0
μA
75
V
IR
= 100
μA
100
V
VF
Forward Voltage IF
= 10mA 1.0 V
IR
Reverse Leakage VR
= 20V
25
nA
VR
= 20V, T
A
= 150
°C
50
μA
VR
= 75V
5.0
μA
CT
Total Capacitance VR
= 0V, f = 1.0MHz 4.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF
= 10mA, V
R
= 6.0V, I
RR
= 1.0mA,
4.0 ns
RL
= 100
?
VF(peak)
Peak Forward Recovery Voltage IF
= 50mA, Peak square wave pulse
2.5 V
width = 0.1μS, 5kHz - 100kHz rep rate
SOD123
COLOR BAND DENOTES CATHODE
TOP MARKING: 5D
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